Diseñan chip que extendería vida de baterías de teléfonos hasta una semana. IBM y Samsung anunciaron su último avance en el diseño de semiconductores. Se trata de una nueva forma de apilar los transistores verticalmente en un chip.

Los Transistores de Efecto de Campo de Transporte Vertical (VTFET) logran que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo de la pila de transistores; en lugar de la disposición horizontal de lado a lado que se utiliza en la mayoría de los chips.

Al mismo tiempo, el nuevo diseño de transistores está pensado para permitir la creación de chips con una densidad de transistores aún mayor que la actual. Y además, sustituirá a la actual tecnología FinFET empleada en los chips más avanzados.

En este sentido, ambas compañías plantean usos bien ambiciosos de esta tecnología; incluyendo que las baterías de teléfonos móviles podrían pasar más de una semana sin cargarse.

Revolución

También, podrá ser utilizada en minería de criptomonedas; cifrado de datos con menor consumo de energía, e incluso naves espaciales.

A principios de 2021, IBM reveló su primer chip de 2nm; que adopta una vía diferente para introducir más transistores aumentando la cantidad que puede caber en un chip utilizando el diseño FinFET existente. Sin embargo, con VTFET se puede llevar los chips a un nuevo nivel.

Probablemente, pasará un tiempo antes de que estén disponibles chips con la nueva tecnología de IBM y Samsung; aseguró Fedecámaras Radio.

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Las dos grandes multinacionales no son las únicos en diseñar una tecnología para sustituir a FinFET.

Hace pocos meses, Intel presentó su diseño RibbonFET (el primer transistor con puerta de entrada); que formará parte de la generación Intel 20A de productos semiconductores, cuya producción está prevista comience en 2024.

Diseñan chip que extendería vida de baterías de teléfonos hasta una semana

Foto: Cortesía

Fuente: Fedecámaras Radio

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